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■電界や磁界の中の電子の運動は
               1
電子の電界中の運動エネルギー −mν₀ = eV 
               2

                       mν²
電子の磁界内の力 (ローレンツ力) Beν = −
                       r
               


■半導体とダイオード 整流回路

真性半導体 SiやGeなどの純粋な結晶

n型半導体  電子密度が正孔密度より大きい半導体 4価SI 不純物5価P

P型半導体  正孔密度が電子密度より大きい半導体  4価SI 不純物3価

ダイオード pn接合で順方向(p→n)に電流
整流回路  ダイオード使用し交流を直流に直す回路

正孔(ホール) 
不純物 (アクセプタ)

半波整流回路 1方向だけの電流なので正の派形

■トランジスタで何ができるか

トランジスタ回路の特性

Ie = Ic + Ib エミッタ電流= コレクタ電流+ベース電流

    ΔIC
α = ー   ベース設置回路の電流増幅率 (0.95 - 0.995)
    ΔIe

    ΔIc
β = −   エミッタ接地回路の電流増幅率 (20〜200)
    ΔIb

     α
β =  −   αとβ関係
     1−α

npn型  
pnp型


■トランジスタ増幅回路の基礎
 
       出力信号
増幅度A =  −
       入力信号

直流負荷線の引き方 

交流負荷線の引き方

■バイアス回路

バイアスのかけかた
トランジスタ回路の直流電圧Vbbを ベースバイアス電圧 バイアス電圧といいます

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