■電界や磁界の中の電子の運動は
1
電子の電界中の運動エネルギー −mν₀ = eV
2
mν²
電子の磁界内の力 (ローレンツ力) Beν = −
r
■半導体とダイオード 整流回路
真性半導体 SiやGeなどの純粋な結晶
n型半導体 電子密度が正孔密度より大きい半導体 4価SI 不純物5価P
P型半導体 正孔密度が電子密度より大きい半導体 4価SI 不純物3価
ダイオード pn接合で順方向(p→n)に電流
整流回路 ダイオード使用し交流を直流に直す回路
正孔(ホール)
不純物 (アクセプタ)
半波整流回路 1方向だけの電流なので正の派形
■トランジスタで何ができるか
トランジスタ回路の特性
Ie = Ic + Ib エミッタ電流= コレクタ電流+ベース電流
ΔIC
α = ー ベース設置回路の電流増幅率 (0.95 - 0.995)
ΔIe
ΔIc
β = − エミッタ接地回路の電流増幅率 (20〜200)
ΔIb
α
β = − αとβ関係
1−α
npn型
pnp型
■トランジスタ増幅回路の基礎
出力信号
増幅度A = −
入力信号
直流負荷線の引き方
交流負荷線の引き方
■バイアス回路
バイアスのかけかた
トランジスタ回路の直流電圧Vbbを ベースバイアス電圧 バイアス電圧といいます
1
電子の電界中の運動エネルギー −mν₀ = eV
2
mν²
電子の磁界内の力 (ローレンツ力) Beν = −
r
■半導体とダイオード 整流回路
真性半導体 SiやGeなどの純粋な結晶
n型半導体 電子密度が正孔密度より大きい半導体 4価SI 不純物5価P
P型半導体 正孔密度が電子密度より大きい半導体 4価SI 不純物3価
ダイオード pn接合で順方向(p→n)に電流
整流回路 ダイオード使用し交流を直流に直す回路
正孔(ホール)
不純物 (アクセプタ)
半波整流回路 1方向だけの電流なので正の派形
■トランジスタで何ができるか
トランジスタ回路の特性
Ie = Ic + Ib エミッタ電流= コレクタ電流+ベース電流
ΔIC
α = ー ベース設置回路の電流増幅率 (0.95 - 0.995)
ΔIe
ΔIc
β = − エミッタ接地回路の電流増幅率 (20〜200)
ΔIb
α
β = − αとβ関係
1−α
npn型
pnp型
■トランジスタ増幅回路の基礎
出力信号
増幅度A = −
入力信号
直流負荷線の引き方
交流負荷線の引き方
■バイアス回路
バイアスのかけかた
トランジスタ回路の直流電圧Vbbを ベースバイアス電圧 バイアス電圧といいます
コメントをかく